SN100M4R70B3F-0811
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 100 В
|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 100 В |
| Емкость | 4.7 мкФ |
| Шаг выводов | 3.5 мм |
| Срок службы | 1000 Ч |
| Размер корпуса | ф 8x11 |
| Рабочая температура | -40...105 °C |
| Non-polarized, single ended lead capacitors f | |
| Серия | SN |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY050M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SY050M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SY050M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SY050M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50 В |
|
|
||||
 |
КД509А |
|
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ... | 406 | 3.58 | |||
|
|
КД509А |
|
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ... | БРЕСТ |
|
|
||
|
|
КД509А |
|
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ... | 534 |
|
|
||
| КТ 3102 БМ | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КТ 3107 Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ... | RUS |
|
|
|
| КТ315Б КРАСН. |
|
|
||||||
| КТ315Б КРАСН. | КВАРЦИТ | 92 | 5.37 | |||||
| КТ315Б КРАСН. | КВАЗАР | 70 | 5.37 | |||||
| КТ315Б КРАСН. | КВАРЦ |
|
|
|||||
| КТ315Б КРАСН. | НАЛЬЧИК |
|
|
|||||
| КТ315Б КРАСН. | 144 |
|
|
|||||
| КТ315Б КРАСН. | 238 |
|
|
