| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
380.84
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
9 510
|
16.80
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
268
|
16.80
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
880
|
8.95
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
237
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
411
|
|
|
|
|
|
TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
КЕР.ЧИП КОНД. 360ПФ NPO 50В, 5%, 0805 |
|
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
|
ТЕРМОУСАДКА Ф11 ЧЕРНЫЙ |
|
|
|
208
|
13.68
|
|
|
|
|
ТЕРМОУСАДКА Ф11 ЧЕРНЫЙ |
|
|
|
208
|
13.68
|
|