|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FDP33N25 |
|
250v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
|
250v n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
|
250v n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
|
250v n-channel mosfet
|
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
|
250v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
|
250v n-channel mosfet
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
|
250v n-channel mosfet
|
ONS
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
|
3
|
703.00
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRS20955S |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRS20955S |
|
|
|
|
564.00
|
|
|
|
IRS20955S |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRS20955S |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
33
|
|
|
|
|
RC1206JR-071K6 |
|
Резистор SMD, 1206, 1.6кОм, 0.25Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-071K6 |
|
Резистор SMD, 1206, 1.6кОм, 0.25Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
ST MICROELECTRONICS
|
14
|
628.21
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|