Версия для печати
Технические характеристики LG200M1500BPF-3545

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	200 В
Ток утечки	3000 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.15
Максимальный ток пульсаций	3.1 А
Шаг выводов	10 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 35x45
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Емкость	1500 мкФ
Серия	LG
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	1 036	2.10
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	400	4.91
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	81 845	2.01
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)		93 627	1.72  >100 шт.   0.86
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WTE
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIOTEC	34 004	1.96
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD	14 586
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	9 216
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS	626
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIODES INC.	1 126
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	КИТАЙ	80	1.45
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	UTC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	MCC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NEXPERIA	1 584	1.21
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY ME
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	LRC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HOTTECH	32 868	1.94  >100 шт.   0.97
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KLS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SEMTECH	5	2.42
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SUNTAN
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YJ	282 770	1.03
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGJIE	40 800	1.18
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YOUTAI	20 017	1.08  >100 шт.   0.54
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	JSCJ	247 240	1.03
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ASEMI	25 123	1.92  >100 шт.   0.96
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		MCP6002T-I/SN			MICRO CHIP	2 720	26.67
		MCP6002T-I/SN				7 430	20.13
		MCP6002T-I/SN			MICRO CHIP	5 849
		MCP6002T-I/SN			Microchip Technology
		MCP6002T-I/SN			FULIHAO TECH	10 400	16.53
		MCP6002T-I/SN			1
		MCP6002T-I/SN			FULIHAO	3 184	12.85
		MCP6002T-I/SN			4-7 НЕДЕЛЬ	40
		SI2309CDS-T1-GE3					77.80
		SI2309CDS-T1-GE3			VISHAY	744	23.76
		SI2309CDS-T1-GE3			Vishay/Siliconix
		SI2309CDS-T1-GE3			SILICONIX
		SI2309CDS-T1-GE3			TECH PUB	2 325	3.69
		SMAJ18A			DC COMPONENTS	16 368	4.38
		SMAJ18A				20 800	2.48
		SMAJ18A			Bourns Inc
		SMAJ18A			Littelfuse Inc
		SMAJ18A			ST MICROELECTRONICS
		SMAJ18A			LTL
		SMAJ18A			LITTELFUSE	20
		SMAJ18A			LITTELFUSE
		SMAJ18A			TSC
		SMAJ18A			BRIGHTKING
		SMAJ18A			JJM	786	5.32
		SMAJ18A			HOTTECH	1 440	3.10
		SMAJ18A			YJ	26 304	2.14
		SMAJ18A			1
		SMAJ18A			YAGEO	5 312	2.19
		SMAJ18A			LITTLEFUSE	3 680	6.53
		SMAJ18A			SUNTAN
		SMAJ18A			SY	3 160	2.75
		SMAJ18A			VISHAY	400	1.89
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GENERAL SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	DC COMPONENTS	146 884	2.65
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MASTER INSTRUMENT CO
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GENERAL INSTRUMENT
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	JIFU SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIRCHILD
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MCC
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GALAXY
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIRCHILD
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	OTHER
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	Fairchild Semiconductor
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YJ	269 875	1.15
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	КИТАЙ
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс		40 774	1.82  >100 шт.   0.91
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MIC
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ONS-FAIR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ONS
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ON SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GALAXY ME
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	HOTTECH	69 052	1.23
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YANGJIE	4 000	1.44
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YANGJIE (YJ)
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	JSCJ
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	1
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MDD	44 757	1.54  >100 шт.   0.77
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	TRR	120 000	1.36  >100 шт.   0.68
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YANGZHOU YANGJIE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"