Версия для печати
Технические характеристики JNR13S500L

Тип	JNR
Область применения	Ограничение пусковых токов
Конструктивное исполнение	Диск
Сопротивление при 25 грд.С, Ом	50
Точность, %	15
Максимальный рабочий ток, А	2
Диаметр корпуса, мм	13

Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А JNR13S500L datasheet 9,59MB 20стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Датчики температуры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		25В-2200 МКФ
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	4 827	8.08
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		1 445	3.19
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	70 592	2.78
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	22.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 397	6.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	335	4.79
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	60 466	2.32
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 572	4.89
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	5.81
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	277	6.32
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	28 775	2.35
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	12 800	2.05
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	45 600	2.21
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.84
		ВИНТ М2.5Х20 (25ШТ.) П/К					96.00
		ГАЙКА М6.0 (20ШТ.)					92.84
		ПРИПОЙ ПОС63 1.0ММ 0.25КГ БЕЗ ФЛЮСА			ASAHI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"