|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 12 V, ± 2.5 V ~ 6 V |
| Ток выходной | 375µA |
| Напряжение входного смещения | 25µV |
| Ток - входного смещения | 17nA |
| Полоса пропускания -3Дб | 800kHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.3 V/µs |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Число каналов | 1 |
| Тип усилителя | Instrumentation |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Rail-to-Rail |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100МКФ 50 (10X20,БИПОЛЯРН.) |
|
|
||||||
| 1206 100К 5% |
|
|
||||||
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | NXP |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | DC COMPONENTS |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | MIC |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | 4 883 | 3.91 | ||
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | MASTER INSTRUMENT | 80 | 17.01 | |
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | DIOTEC |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | YJ |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | 1 |
|
|
|
| HC49SMD 8 MHZ 16PF 30PPM | 784 | 5.59 | ||||||
| STW26NM60N | ST MICROELECTRONICS | 880 | 175.64 | |||||
| STW26NM60N | 1 040 | 111.38 | ||||||
| STW26NM60N | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STW26NM60N | ST MICROELECTRO |
|
|