BY297
Импульсный диод 1.5А, 200 В
|
Версия для печати
| Reverse Recovery Time (trr) | 500ns |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Type | Standard |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-201AD, Axial |
| Корпус | DO-201AD |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4933 (1A 50V) |
|
|
|||||
| M1020 PT1000 -70+500ГР ТОЧН.B, 32208286,ТЕМП 9.51.9ММ | HRUS |
|
|
|||||
 |
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD | 100 | 15.12 | |||
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD | ONS | 68 818 | 3.35 | ||
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD | ON SEMICONDUCTOR | 5 858 |
|
||
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||
| SK100M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 100 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK100M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 100 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK100M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 100 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK100M0220B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK100M0220B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK100M0220B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
