4N38M
Высоковольтный фототранзисторный оптрон
|
Версия для печати
| Количество каналов | 1 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Ток выходной / канал | 100mA |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Напряжение выходное | 80V |
| Корпус (размер) | 6-DIP (0.320", 8.13mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип выхода | Transistor with Base |
| Vce Saturation (Max) | 1V |
| Current - DC Forward (If) | 80mA |
| Тип входа | DC |
| Current Transfer Ratio (Min) | 20% @ 2mA |
| Output Type | Transistor with Base |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
4N38M (Оптроны фототранзисторные) Высоковольтный фототранзисторный оптрон
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Д38Н |
|
|
||||||
 |
КТ626Б | 552 | 3.13 | |||||
|
|
КТ626Б | КРЕМНИЙ | 52 | 22.68 | ||||
|
|
КТ626Б | ТОМСК | 1 444 | 4.20 | ||||
|
|
КТ626Б | БРЯНСК | 5 020 | 6.30 | ||||
|
|
КТ626Б | УЛЬЯНОВСК |
|
|
||||
|
|
КТ626Б | RUS |
|
|
||||
 |
 |
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 324 | 49.14 | ||
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 283 | 35.91 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 35 | 48.56 | |
| МЛТ - 0.5 ВТ 100 ОМ 2% | 240 | 2.18 | ||||||
| МЛТ - 0.5 ВТ 470 ОМ 5% | 2 295 | 1.43 |
