IRFP150NPBF
Полевой транзистор N-Канальный 100V 42A 160W 0,036R TO247A
|
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 23A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
КТ626Б | 552 | 3.13 | |||||
|
|
КТ626Б | КРЕМНИЙ | 52 | 22.68 | ||||
|
|
КТ626Б | ТОМСК | 1 444 | 4.20 | ||||
|
|
КТ626Б | БРЯНСК | 5 020 | 6.30 | ||||
|
|
КТ626Б | УЛЬЯНОВСК |
|
|
||||
|
|
КТ626Б | RUS |
|
|
||||
 |
 |
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 308 | 49.14 | ||
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 266 | 35.91 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 14 | 48.56 | |
| МЛТ - 0.5 ВТ 100 ОМ 2% | 240 | 2.18 | ||||||
| МЛТ - 0.5 ВТ 470 ОМ 5% | 2 295 | 1.43 | ||||||
| МЛТ - 1 ВТ 22 ОМ 5% | 2 016 | 3.36 |
