| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE ELECTRONICS, INC
|
56
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
|
5 836
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
266
|
12.49
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
12.49
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
KEEN SIDE
|
26
|
0.50
>1000 шт. 0.10
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
КИТАЙ
|
4
|
2.25
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
15 840
|
6.89
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
496
|
4.96
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
3 288
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
34
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.26
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
1 800
|
1.18
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
AP40T03GP |
|
Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт
|
APEC
|
|
|
|
|
|
AP40T03GP |
|
Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт
|
|
|
306.00
|
|
|
|
SB240 |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
|
|
7.68
|
|
|
|
SB240 |
|
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
49
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
|
|
7.68
|
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
THINKING
|
|
|
|