IR2102S


Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.

Купить IR2102S по цене 145.04 руб.  (без НДС 20%)
IR2102S
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IR2102S цена радиодетали 145.04 
IR2102S (4-7 НЕДЕЛЬ) 499 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IR2102S

Корпус8-SOICN
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Напряжение питания10 V ~ 20 V
Число выходов2
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)600V
Число конфигураций1
Ток пиковое значение210mA
Тип входаInverting
Время задержки160ns
КонфигурацияHigh and Low Side, Independent
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IR2102

HIGH and LOW SIDE DRIVER

Также в этом файле: IR2102S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IR2102S datasheet
132.12Kb
13стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    16K1 KC 3K       4 432 16.83 
    16K1 KC 3K     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    16K1 KC 500R       1 243 12.64 
  IRG4PC40S     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IRG4PC40S       Заказ радиодеталей 209.00 
  IRG4PC40S     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBR10100G Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBR10100G Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80     Заказ радиодеталей 140.00 
    MBR10100G Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBR10100G Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBR10100G Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE13009 Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE13009 Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE13009 Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE13009 Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz     8 138.75 
MJE13009 Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE13009 Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz   ISC 2 376 61.83 
MJE13009 Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz   VARIOUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход