STM32F103RET6
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STM32 |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Скорость | 72MHz |
| Подключения | CAN, I²C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART, USB |
| Периферия | DMA, Motor Control PWM, PDR, POR, PVD, PWM, Temp Sensor, WDT |
| Число вводов/выводов | 51 |
| Размер программируемой памяти | 512KB (512K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 64K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 16x12b; D/A 2x12b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 64-LQFP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | NXP |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | DC COMPONENTS |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | MIC |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | 5 083 | 3.91 | ||
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | MASTER INSTRUMENT | 80 | 17.01 | |
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | DIOTEC |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | YJ |
|
|
|
|
|
|
BY399 |
|
Импульсный диод 3А, 800 В | 1 |
|
|
|
| CERCAP 10/10V 0805 KX5R |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 10 В | YAGEO |
|
|
|||
| CERCAP 10/10V 0805 KX5R |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 10 В | SAM |
|
|
|||
| HC49SMD 8 MHZ 16PF 30PPM | 936 | 6.07 | ||||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA |
|
|
|||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA |
|
|
|||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
25.88 | ||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 45 548 | 5.03 | |||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| R1206-11 КОМ-5% |
|
|
