STGD5NB120SZ-1
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
Версия для печати
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Серия | PowerMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 75W |
| Тип входа | Logic |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STGD5NB120SZ-1 (IGBT) Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFP90N20D |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP90N20D |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W) | 171 | 215.13 | ||
|
|
|
IRFP90N20D |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W) | INFINEON |
|
|
|
 |
|
КП501А 10.11-500Н |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК |
|
|
|
| КР531ТЛ3 |
|
37.88 | ||||||
| КР531ТЛ3 | ЭТАЛ |
|
|
|||||
| КР531ТЛ3 | ЭЛЬТАВ |
|
|
|||||
| КТ815Б2 |
|
|
||||||
| КЭВ-10-1 ГОМ-5% |
|
|
