SQP 3W 0.47 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SQP 3W 0.20 5%
SQP 3W 0.20 5%		YAGEO
SQP 3W 0.20 5%		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SQP 3W 0.20 5%		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
КД 522 Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	RUS
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		800	16.38
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	532	14.84
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ	3 395	3.58
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	4 908	5.37
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	766	7.16
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ДАЛЕКС
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	196
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	4264
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	6178
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	762
КТ 817 Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
МЛТ-1-10 ОМ-10%			284	5.58