| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
90
|
15.12
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
641
|
4.24
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
913
|
12.49
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
1250
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
22
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
230
|
|
|
|
|
|
 |
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ST MICROELECTRONICS
|
29
|
175.68
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ОРБИТА
|
80
|
160.06
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
|
16
|
350.28
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
77
|
|
|
|
|
|
КР1594ТМ9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КР1594ТМ9 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1594ТМ9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ 315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
810
|
16.38
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 411
|
4.24
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 908
|
6.36
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
8.48
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
196
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4264
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6178
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
762
|
|
|
|
Версия для печати
