|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
DC COMPONENTS
|
17 043
|
2.73
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
|
|
12.24
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
NXP
|
14
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
PHILIPS
|
22 181
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
|
|
7.60
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
SAM
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NXP
|
5 332
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
35 000
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC635 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 45V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM217LZ |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM217LZ |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM217LZ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|
|
|
STP16CP05M |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP16CP05M |
|
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
1 480
|
10.96
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
ONS
|
20 639
|
16.92
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
794
|
|
|