| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP
|
44
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS
|
92
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
422
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
|
3
|
352.80
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
MICRO CHIP
|
39
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
39
|
|
|
|
|
|
ZIF N SCL-24 ПАНЕЛЬ С НУЛЬ. УСИЛ. |
|
|
|
|
778.36
|
|
|
|
|
ZIF N SCL-24 ПАНЕЛЬ С НУЛЬ. УСИЛ. |
|
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
|
ZIF N SCL-24 ПАНЕЛЬ С НУЛЬ. УСИЛ. |
|
|
АВСТРАЛИЯ
|
|
|
|
|
|
|
ZIF N SCL-24 ПАНЕЛЬ С НУЛЬ. УСИЛ. |
|
|
ZF
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
608
|
34.96
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
1 600
|
32.79
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
481
|
38.16
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
2 607
|
38.16
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
3580
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
702
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
1 034.56
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
56
|
629.00
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
169
|
1 325.00
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|