| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
1206-X7R-1000PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В
|
KOME
|
|
|
|
|
|
|
1206-X7R-1000PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
ADM3311EARU |
|
Интерфейс RS-232 460кБит/с, Uпит=3.3В, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADM3311EARU |
|
Интерфейс RS-232 460кБит/с, Uпит=3.3В, -40°С:+85°C
|
|
|
341.68
|
|
|
|
|
ADM3311EARU |
|
Интерфейс RS-232 460кБит/с, Uпит=3.3В, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADM3311EARU |
|
Интерфейс RS-232 460кБит/с, Uпит=3.3В, -40°С:+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
39
|
|
|
 |
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
ATMEL
|
158
|
420.00
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
|
|
152.00
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
MICRO CHIP
|
259
|
409.68
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
324
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
42.12
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
52
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
364
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
536
|
299.63
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
924
|
|
|
Версия для печати
