Версия для печати
Технические характеристики PCF8583T

Корпус	8-SO
Корпус (размер)	8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания, батареи	1 V ~ 6 V
Напряжение питания	2.5 V ~ 6 V
Интерфейс подключения	I²C
Формат даты	YY-MM-DD
Формат времени	HH:MM:SS:hh (12/24 hr)
Объем памяти	240B
Возможности	Alarm, NVSRAM, Square Wave Output
Тип	Event Counter
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

PCF8583 (Таймеры) Clock / calendar with 240 x 8-bit RAM Также в этом файле: PCF8583T Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com PCF8583T datasheet 165.43Kb 28стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Часы/Таймеры

 » 

Часы реального времени

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	35 316	1.42
		C0805-0,1 МКФ-(+80-20)%-Y5V-50V
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	CHIN
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	DC COMPONENTS	14 627	2.07
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS		12 841	1.07
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	GALAXY
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	ELZET
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	NGBO YOUNG ELECTRON
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	КИТАЙ	80	6.80
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MIG
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MCC
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	MIC	559	1.77
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	KINGTRONICS	7	3.10
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 683	2.01
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YJ	176	3.10
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	GALAXY ME	432	2.25
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	WUXI XUYANG	24 516	2.61
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YANGJIE	11 600	1.70
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	YANGJIE (YJ)
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	JANGJIE	5	2.03
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	0.00
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	HOTTECH	28 400	1.23
		FR157		Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS	1
		MF-0.125-1.0 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0.125Вт, 1Ом, 1%	CHINA
		MF-0.125-1.0 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0.125Вт, 1Ом, 1%		46	2.80
		VS1053B-L			VLSI	163	454.98
		VS1053B-L					2 677.20
		VS1053B-L			СИНГАПУР
		VS1053B-L			VLSI SOLUTION
		VS1053B-L			4-7 НЕДЕЛЬ	630

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"