Версия для печати
Технические характеристики BA4116FV-E2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	BA4116
RF Type	Cordless Phones
Частота	10MHz ~ 150MHz
Number of Mixers	1
Gain	18dB
Secondary Attributes	Mixer/Detector
Ток выходной	4.2mA
Напряжение питания	1.8 V ~ 5.5 V
Корпус (размер)	16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус	16-SSOPB
Frequency	10MHz ~ 150MHz

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Радиочастотные компоненты (RF и RFID)

 » 

RF смесители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	FAIR
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...			12.88
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	MCC
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	ST MICROELECTRONICS
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	FAIRCHILD	400	7.81
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	FAIRCHILD	1 923
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	Fairchild Semiconductor
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	FSC
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	ONS
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	ONS-FAIR
		BAR43C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.2A, Ifsm=0.75A@t=1s, Vf=0.33V@I=2mA, -55 to ...	JSCJ	1 981	1.50
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	342 808	1.28
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	91 372	1.19
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		61 111	1.36  >100 шт.   0.68
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	3 467	1.68
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	5.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	547 129	1.32  >500 шт.   0.44
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	558	1.54
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	312 397	1.19
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	220	1.34
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	6 378	1.21
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	1 941 878	1.04  >100 шт.   0.52
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 272 616	1.06  >100 шт.   0.53
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	191 188	1.68  >100 шт.   0.84
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	104 000	1.03
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	11 212	1.20  >500 шт.   0.40
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	15 744	1.12  >100 шт.   0.56
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.68
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ	8 000	4.46
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEEN SIDE	212 164	1.35  >500 шт.   0.45
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	2138
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	4334
		BLT81		ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб		44	148.00
		BLT81		ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб	NXP
		BLT81		ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб	NXP
		LMX2306TMX			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMX2306TMX					555.60
		LMX2306TMX			NSC
		LMX2306TMX			TEXAS INSTRUMENTS
		LMX2306TMX			NATIONAL SEMICONDUCTOR	94
		LMX2306TMX			4-7 НЕДЕЛЬ	108
		LMX2316TM		Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMX2316TM		Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ...			214.80
		LMX2316TM		Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ...	4-7 НЕДЕЛЬ	186

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"