Версия для печати
Технические характеристики LG035M4700BPF-2235

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	35 В
Ток утечки	3000 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.35
Максимальный ток пульсаций	1.8 А
Шаг выводов	10 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 22x35
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Емкость	4700 мкФ
Серия	LG
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		15 328	1.66  >100 шт.   0.83
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	12.49
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	12.49
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEEN SIDE	103	1.38  >100 шт.   0.69
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MERRYELC
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	FAI/QTC
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	ISOCOM
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	SIEMENS
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	VISHAY
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	FSC
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	QTC	4	45.29
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	FAIR
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	FAIRCHILD
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	FAIRCHILD
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	ISOCOM
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	SIEMENS	3 064
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	VISHAY
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	Vishay/Semiconductors
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	Fairchild Optoelectronics Group
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	ISOCOM COMPONENTS
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A		199	18.50
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	MOTOROLA
		4N36		Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A	4-7 НЕДЕЛЬ	133
		AT24C32N-10SC-1.8			ATMEL	1 384	72.88
		AT24C32N-10SC-1.8					15.44
		AT24C32N-10SC-1.8			0.00
		AT24C32N-10SC-1.8			4-7 НЕДЕЛЬ	313
		IRFZ24NPBF		N-канальный Полевой транзистор, VDS,В 70 mOhm @ 10A, 10V, ID 4V @ 250µA, Ptot,Вт 45W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ24NPBF		N-канальный Полевой транзистор, VDS,В 70 mOhm @ 10A, 10V, ID 4V @ 250µA, Ptot,Вт 45W	INFINEON	1	43.39
		IRFZ24NPBF		N-канальный Полевой транзистор, VDS,В 70 mOhm @ 10A, 10V, ID 4V @ 250µA, Ptot,Вт 45W
		PLD-80		Вилка штыревая 2.54мм 2х40 прямая	BM	15	68.40
		PLD-80		Вилка штыревая 2.54мм 2х40 прямая		2 768	31.45
		PLD-80		Вилка штыревая 2.54мм 2х40 прямая	CONNFLY
		PLD-80		Вилка штыревая 2.54мм 2х40 прямая	KLS	3 760	24.80
		PLD-80		Вилка штыревая 2.54мм 2х40 прямая	NXU	2 000	27.90
		PLD-80		Вилка штыревая 2.54мм 2х40 прямая	КИТАЙ
		PLD-80		Вилка штыревая 2.54мм 2х40 прямая	CHINA
		PLD-80		Вилка штыревая 2.54мм 2х40 прямая	KEEN SIDE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"