| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LIT
|
9 316
|
24.91
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
132
|
26.85
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
71
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
763
|
21.48
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LTV
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
|
865
|
44.64
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLLIGHT
|
4 040
|
18.60
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EL
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
YOUTAI
|
4 814
|
13.46
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVL
|
963
|
16.85
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOSHIBA
|
1
|
8.39
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AVAGO
|
28
|
26.85
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
150
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
35
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
76
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
975
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
1
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
FAIRCHILD
|
24
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
H11A3 |
|
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1N5337BG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5337BG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5337BG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N5337BG |
|
|
|
80
|
37.20
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
16 056
|
6.13
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
496
|
4.01
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
12 088
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
56
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.15
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
2 472
|
1.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
800
|
14.05
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
332
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
DC COMPONENTS
|
9 907
|
6.79
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
|
|
12.92
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
106.19
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
|
8
|
110.88
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803D |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803D |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
|
|
235.12
|
|
|
|
|
ULN2803D |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
580
|
|
|