Версия для печати
Технические характеристики IRFI540N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	94nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	54W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

IRFI540N (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=100v, Rds (on) =0.052ohm, Id=20a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFI540N datasheet 133.32Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		1 012	465.00
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК	76	651.00
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 309
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
		2Т827Б				21	325.50
		2Т827Б			ЭЛЕКТРОПРИБОР
		2Т827Б			ФРЯЗИНО	14	781.20
		2Т827Б			ФРЯЗИНСКИЙ З-Д МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
		2Т827Б			БРЯНСК
		2Т827Б			ЭЛЕКТРОНПРИБОР	4	655.87
		2Т827Б			RUS
		2Т827Б			116
		2Т827Б			18
		HIP4081AIPZ			INTERSIL
		HIP4081AIPZ					1 158.80
		HIP4081AIPZ			RENESAS
		HIP4081AIPZ			4-7 НЕДЕЛЬ
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	ST MICROELECTRONICS
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.			127.20
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NSC	52	160.06
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NATIONAL SEMIC
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	TEXAS INSTRUMENTS
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NS
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	4-7 НЕДЕЛЬ
		КД258Д		Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...		716	154.56
		КД258Д		Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...	НПП ТЭЗ
		КД258Д		Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...	ТОМИЛИНО
		КД258Д		Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...	RUS
		КД258Д		Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...	СЗТП
		КД258Д		Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...	ТЭЗ	120	199.10

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"