IRF7492
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1820pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7492 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZV55-B3V6.115 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V6.115 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | VISHAY |
|
|
|||||
 |
IRF740ASPBF |
|
N-канальный 400V 10A 125W 0,55R | VISHAY | 384 | 82.66 | ||
|
|
IRF740ASPBF |
|
N-канальный 400V 10A 125W 0,55R | Vishay/Siliconix |
|
|
||
|
|
IRF740ASPBF |
|
N-канальный 400V 10A 125W 0,55R | VISHAY/IR |
|
|
||
|
|
IRF740ASPBF |
|
N-канальный 400V 10A 125W 0,55R | 568 | 158.60 | |||
 |
 |
IRFR310PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (400V, 1.7A, 25W, 3.6R) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFR310PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (400V, 1.7A, 25W, 3.6R) | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFR310PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (400V, 1.7A, 25W, 3.6R) | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRFR310PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (400V, 1.7A, 25W, 3.6R) |
|
|
||
| KP3216SGD | KINGBRIGHT |
|
|
|||||
| KP3216SGD | KINGBRIGHT |
|
|
