КР1055ХП2
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 25 575 | 1.46 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 265 556 | 1.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 112 529 | 2.83 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 204 408 | 1.25 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 4.54 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
245 885 |
1.66 >100 шт. 0.83 |
|||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 42 472 | 1.03 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 528 380 | 2.32 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 96 000 | 2.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 6 400 | 1.50 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA | 14 461 | 1.09 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 92 628 | 1.84 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 50 129 |
1.38 >500 шт. 0.46 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 112 | 1.82 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 23 210 | 1.06 | ||
 |
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием | ST MICROELECTRONICS | 97 | 73.50 | |
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием | SGS |
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием |
|
2 346.52 | ||
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием | SGS THOMSON |
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием | 4-7 НЕДЕЛЬ | 746 |
|
|
 |
КС522А1 |
|
стекло | 732 | 81.88 | |||
|
|
КС522А1 |
|
стекло | НЗПП |
|
|
||
 |
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 84 | 192.78 | |
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 1 | 340.20 | ||
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | БРЯНСК | 176 | 273.00 | |
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ЭЛЬТАВ |
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ФРЯЗИНО |
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ЭПЛ |
|
|
|
 |
|
КТ898А1 |
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ... |
|
201.60 | ||
|
|
|
КТ898А1 |
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ... | КРЕМНИЙ | 8 | 196.56 | |
|
|
|
КТ898А1 |
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ... | БРЯНСК | 215 | 285.60 |
