| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | AVR® ATtiny |
| Процессор | AVR |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Скорость | 20MHz |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 6 |
| Размер программируемой памяти | 1KB (512 x 16) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| EEPROM Size | 64 x 8 |
| Размер памяти | 64 x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Преобразователи данных | A/D 4x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATTINY13A-PU |
|
Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-PU |
|
Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ
|
|
1 451
|
96.87
|
|
|
|
ATTINY13A-PU |
|
Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-PU |
|
Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ
|
MICRO CHIP
|
1 616
|
165.31
|
|
|
|
ATTINY13A-PU |
|
Микроконтроллер 1,8-5,5V, 1K-FLASH, RAM 64, 20MHZ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
B4B-XH-A |
|
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
B4B-XH-A |
|
|
JST
|
|
|
|
|
|
|
B4B-XH-A |
|
|
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
2 760
|
16.00
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
468
|
14.46
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
32
|
4.44
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
7 862
|
17.96
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
RUME
|
118
|
3.88
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
TRR
|
5 200
|
3.99
|
|
|
|
BZV55-C5V6,115 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6,115 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6,115 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
|
29 017
|
22.32
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 425
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
TOKMAS
|
17 618
|
8.75
|
|
|
|
|
MBRS360T3G |
|
Диод
|
FUXINSEMI
|
11 648
|
6.49
|
|