2SK3568


N-MOS 500V, 12A, 40W

Купить 2SK3568 по цене 220.00 руб.  (без НДС 20%)
2SK3568
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
2SK3568 цена радиодетали 220.00 
2SK3568 (TOS) 262 103.31 

Версия для печати

Технические характеристики 2SK3568

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs520 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1500pF @ 25V
Power - Max40W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220 (SIS)
КорпусTO-220SIS
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    RES 0805 33R2 1%     EPCOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRONICS 671 61.27 
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...     Заказ радиодеталей 126.00 
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   4-7 НЕДЕЛЬ 218 цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс     10 107 11.04 
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   БРЕСТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   П/П 1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   ЦВЕТОТРОН 10 628 13.44 
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   СЗТП 800 16.63 
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   П/П 2 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   РОССИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   ОРБИТА 3 520 26.86 
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ПАНЕЛЬ ПОД МИКРОСХ. SCL DIP-28       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ПАНЕЛЬ ПОД МИКРОСХ. SCL DIP-28     AUGAT Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход