| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
BURR-BROWN
|
|
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
|
|
1 000.00
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
BURR-BROWN
|
|
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
148
|
|
|
|
|
|
LD2981ABU33TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1
|
24.77
|
|
|
|
|
LD2981ABU33TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LD2981ABU33TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LD2981ABU33TR |
|
|
|
1 760
|
18.04
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
11 100
|
2.97
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
40 840
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
24
|
1.06
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
46 932
|
2.12
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
4 864
|
2.92
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
3 200
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
6 626
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSMICRO
|
309
|
1.50
|
|
|
|
|
NJT4030PT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NJT4030PT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NJT4030PT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NJT4030PT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NJT4030PT1G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
252
|
|
|
|
|
|
UA78L12ACLPE3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
UA78L12ACLPE3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UA78L12ACLPE3 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
UA78L12ACLPE3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
660
|
|
|