| Мощность рассеяния,Вт | 1 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 21 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 22 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 23 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 37 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd-3a |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
0805 0,1МКФ Y5V 50В |
|
Керамический многослойный изолированный конденсатор 0805, 0,1МКФ, Y5V, 50В
|
|
|
|
|
 |
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
10 368
|
1.32
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.75
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
58
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
30 066
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
|
10 397
|
3.28
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
YJ
|
752
|
4.05
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
HOTTECH
|
74
|
3.18
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
DB104S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
KEEN SIDE
|
3 289
|
2.52
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
ST MICROELECTRONICS
|
36
|
74.20
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
|
|
2 346.52
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
746
|
|
|
|
|
|
L497B |
|
CAR управление зажиганием
|
51
|
|
|
|
|
|
|
ВП2Б-1 0.5А (АНАЛОГ) |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
