| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AT91SAM7X512-AU |
|
32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 512K Flash, 128K SRAM
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT91SAM7X512-AU |
|
32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 512K Flash, 128K SRAM
|
|
|
3 006.72
|
|
|
|
AT91SAM7X512-AU |
|
32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 512K Flash, 128K SRAM
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT91SAM7X512-AU |
|
32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 512K Flash, 128K SRAM
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT91SAM7X512-AU |
|
32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 512K Flash, 128K SRAM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
776
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
79 008
|
1.07
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.53
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
339 034
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
112
|
1.37
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
92 389
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
24 000
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
37 501
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
53 792
|
1.39
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
41 915
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KEEN SIDE
|
280
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
DS1821+ |
|
Цифровой термометр и Термостат, точность +-1°C
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1821+ |
|
Цифровой термометр и Термостат, точность +-1°C
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS1821+ |
|
Цифровой термометр и Термостат, точность +-1°C
|
|
|
|
|
|
|
DS1821+ |
|
Цифровой термометр и Термостат, точность +-1°C
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS1821+ |
|
Цифровой термометр и Термостат, точность +-1°C
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS1821+ |
|
Цифровой термометр и Термостат, точность +-1°C
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS1821+ |
|
Цифровой термометр и Термостат, точность +-1°C
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
DS1821+ |
|
Цифровой термометр и Термостат, точность +-1°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
328
|
|
|
|
|
КД522Б (1N4148) |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
3 997
|
18.90
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
584
|
13.61
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
7 224
|
16.80
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 280
|
16.80
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
51
|
11.34
|
|