G6Z1FEDC12

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
G6Z1FEDC12		480.44

Версия для печати

Технические характеристики G6Z1FEDC12

Производитель	Omron Corporation - Electronic Components
Количество в упаковке	25 шт.
Вес	3.982 г
Тип реле	СВЧ
Управляющее напряжение	12 В
Мощность катушки	0.2 Вт
Рабочая температура	-40...70 °C
Тип контактов	1C
Нагрузка по постоянному току	10A/30VDC
Нагрузка по переменному току	10A/30VAC
Напряжение изоляции катушка-контакты	1000 В
Тип выводов	поверхностный монтаж
Герметичность корпуса (степень защиты от флюса)	негерметичное
Размер	20.3x8.6x9.3 мм
Объём	1.624 см3
Площадь	1.746 см2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAI/QTC
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LIT	12 313	12.97
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY	1 148	32.82
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIR
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	COSMO
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON	4 780	27.95
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AGILENT TECHNOLOGIES
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QT OPTOELECTRONICS
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC COMPONENTS
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Lite-On Inc
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Vishay/Semiconductors
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Fairchild Optoelectronics Group
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Avago Technologies US Inc
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ISOCOM
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVLT
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY	71
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT	780	25.20
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FC
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LTV
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	MOTOROLA
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В		615	44.40
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLLIGHT	6 080	19.63
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ONS-FAIR
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EL
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOS
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	КИТАЙ
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	YOUTAI	6 033	10.07
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVL	1 249	11.51
4N35	Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOSHIBA	1	18.51
ATF-54143-BLKG	РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт	AVAGO
ATF-54143-BLKG	РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт			432.80
ATF-54143-BLKG	РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт	AVAGO TECHNOLOGIES
ATF-54143-BLKG	РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт	Avago Technologies US Inc
ATF-54143-BLKG	РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт	BRO/AVAG
ATF-54143-BLKG	РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт	BROADCOM
LT1083CP	ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р	LT
LT1083CP	ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р	LTC
LT1083CP	ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р	LINEAR TECHNOLOGY
LT1083CP	ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р			2 780.00
LT1083CP	ИМС Источник питания 30/12-29ВTO-3Р	4-7 НЕДЕЛЬ	164
PIC18F1320-I/SO	4Kx16 Flash 16I/O 40MHz	MICRO CHIP
PIC18F1320-I/SO	4Kx16 Flash 16I/O 40MHz			550.76
PIC18F1320-I/SO	4Kx16 Flash 16I/O 40MHz	Microchip Technology
PIC18F1320-I/SO	4Kx16 Flash 16I/O 40MHz	ТАИЛАНД
PIC18F1320-I/SO	4Kx16 Flash 16I/O 40MHz	MICRO CHIP
PIC18F1320-I/SO	4Kx16 Flash 16I/O 40MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	275
ТАНТАЛ 10МКФ 16В10%ТИПB