ТП121- 9

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRG4BC30KDPBF	Модули IGBT 600V 28A 100W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4BC30KDPBF	Модули IGBT 600V 28A 100W	INFINEON	1 343	319.40
IRG4BC30KDPBF	Модули IGBT 600V 28A 100W
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	148	173.01
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet			328.80
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	STMicroelectronics
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	КИТАЙ
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI	13 332
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	STMICROELECTR
К 561 ИЕ9А		RUS
К 561 КП1		RUS
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...		789	14.72
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ	1 079	12.47
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ПЛАНЕТА	1 780	6.30
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	БРЯНСК	2 505	17.01
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	МИНСК	1 720	16.38
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ЭЛЕКС
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ИНТЕГРАЛ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМН
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ ЭЛ	1	4.60