| Мощность рассеяния,Вт | 1 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 6.1 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 6.8 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 7.5 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 3.5 |
| при токе I ст,мА | 30 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.06 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 119 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd-3a |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
57 169
|
1.36
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
456 497
|
1.47
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
77 452
|
2.93
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
208 152
|
1.25
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
4.54
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
201 805
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
23 251
|
1.03
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
102 632
|
1.08
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
56 800
|
2.07
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
2 330
|
1.36
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
1 600
|
1.52
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
14 461
|
1.03
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
58 675
|
1.92
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
27 473
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
93
|
2.08
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
1 042
|
1.11
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
Д814Г |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 11 В, 15 Ом, Iмакс -29 мА
|
|
2 127
|
11.34
|
|
|
|
|
Д814Г |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 11 В, 15 Ом, Iмакс -29 мА
|
САРАНСК
|
29
|
8.40
|
|
|
|
|
Д814Г |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 11 В, 15 Ом, Iмакс -29 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
Д814Г |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 11 В, 15 Ом, Iмакс -29 мА
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
|
Д814Г |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 11 В, 15 Ом, Iмакс -29 мА
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
Д814Г |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 11 В, 15 Ом, Iмакс -29 мА
|
СЗТП
|
552
|
76.46
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
|
37.48
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КП303В |
|
Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
|
|
34.40
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
МРН-8-1 ВИЛКА |
|
Вилка МРН для объемного монтажа , 8 контактов с покрытием серебром
|
|
|
|
|
Версия для печати
