| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
|
80
|
196.56
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
|
|
|
|
|
 |
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
|
956
|
92.50
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
295
|
210.00
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
|
36
|
128.80
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
ВЛАДИКАВКАЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СИРИУС
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СЗТП
|
4
|
166.32
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС 133 А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
|
35
|
425.50
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
48
|
793.80
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
517
|
462.00
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
Версия для печати
