КТ 3102 А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД 522 Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	RUS
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...			129.60
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	ВЛАДИКАВКАЗ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСК
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СИРИУС
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	RUS
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СЗТП	4	183.49
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	БОЛХОВСКИЙ ЗПП
КР 140 УД20А	Сдвоенный операционный усилитель 11.5В, 80нА	RUS
КТ 827 А		RUS
КТ 827 А
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 877	27.75
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	32.79
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 665	38.16
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1415
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	20
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3147