|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V
|
|
|
23.56
|
|
|
|
2SJ103 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 50V
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
38.25
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
|
|
16.56
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
6
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
28
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-100 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-100 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
2
|
2.80
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
|
14 400
|
1.36
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
DC COMPONENTS
|
14 320
|
1.96
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGJIE
|
4 000
|
2.47
|
|
|
|
RL207 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, If=2A@T=75C, Ifsm=70A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
13 746
|
3.85
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
800
|
20.40
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
9 120
|
9.10
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|