| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
|
26 505
|
1.44
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
12 536
|
1.05
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
PANJIT
|
2 676
|
1.74
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
5 344
|
2.32
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
15 237
|
1.82
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
SUNTAN
|
5 360
|
1.46
|
|
|
|
|
MF-RX110/72-0 |
|
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
MF-RX110/72-0 |
|
|
BOURNS
|
3 359
|
33.54
|
|
|
|
|
MF-RX110/72-0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 389
|
47.63
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
|
55
|
218.30
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
603
|
29.44
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 424
|
34.12
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
962
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
38.40
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
256
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
932
|
24.57
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
6 044
|
33.60
|
|
Версия для печати
