BMA180
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Axis | X, Y, Z |
| Acceleration Range | ± 1g, 1.5g, 2g, 3g, 4g, 8g, 16g |
| Sensitivity | 8192LSB/g, 5460LSB/g, 4096LSB/g, 2730LSB/g, 2048LSB/g, 1024LSB/g, 512L |
| Напряжение питания | 1.62 V ~ 3.6 V |
| Тип выхода | Digital |
| Bandwidth | 1Hz |
| Интерфейс подключения | I²C, SPI |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 12-VFLGA |
| Корпус | 12-LGA (3x3) |
| Output Type | Digital |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BSN20 |
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BSN20 |
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | NXP |
|
|
|
|
|
|
BSN20 |
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | NXP |
|
|
|
|
|
|
BSN20 |
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BSN20 |
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 1.73 | ||
|
|
|
BSN20 |
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | DIODES |
|
|
