Версия для печати
Технические характеристики BSN20

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 Ohm @ 100mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	173mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	25pF @ 10V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BSN20 (MOSFET) N-channel enhancement mode field-effect transistor Производитель: NXP BSN20 datasheet 316.5 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		22PF/50V NPO
		CRCW120610K0FKEA			VISHAY
		CRCW120610K0FKEA			VISHAY	2 758
		CRCW120610K0FKEA			Vishay/Dale
		CRCW120610K0FKEA			VIS
		ISD1760PY		Микросхема для цифровой записи/хранения/воспроизведения аудиоинформации до 40-120сек. ...	WINBOND
		ISD1760PY		Микросхема для цифровой записи/хранения/воспроизведения аудиоинформации до 40-120сек. ...	ISD
		ISD1760PY		Микросхема для цифровой записи/хранения/воспроизведения аудиоинформации до 40-120сек. ...			636.00
		ISD1760PY		Микросхема для цифровой записи/хранения/воспроизведения аудиоинформации до 40-120сек. ...	Nuvoton Technology Corporation of America
		ISD1760PY		Микросхема для цифровой записи/хранения/воспроизведения аудиоинформации до 40-120сек. ...	NUVOTON
		ISD1760PY		Микросхема для цифровой записи/хранения/воспроизведения аудиоинформации до 40-120сек. ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		ISD1760PY		Микросхема для цифровой записи/хранения/воспроизведения аудиоинформации до 40-120сек. ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ISD1760PY		Микросхема для цифровой записи/хранения/воспроизведения аудиоинформации до 40-120сек. ...	4-7 НЕДЕЛЬ	310
		LD1117DT33TR			ST MICROELECTRONICS	4 863	19.82
		LD1117DT33TR					58.00
		LD1117DT33TR			ST MICROELECTRONICS SEMI	84
		LD1117DT33TR			STMicroelectronics
		LD1117DT33TR			ST1
		LD1117DT33TR			ST MICROELECTRO
		LD1117DT33TR			STMICROELECTR
		LD1117DT33TR			4-7 НЕДЕЛЬ	94
		LD1117S33TR		СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)	ST MICROELECTRONICS	17 025	14.16
		LD1117S33TR		СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)		9 903	8.95
		LD1117S33TR		СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LD1117S33TR		СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)	STMicroelectronics
		LD1117S33TR		СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)	ST MICROELECTRO
		LD1117S33TR		СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)	STMICROELECTR
		LD1117S33TR		СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	265

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"