Версия для печати
Технические характеристики IRFZ34NPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	29A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	700pF @ 25V
Power - Max	68W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		150EBU02		Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab	VISHAY
		150EBU02		Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab	INTERNATIONAL RECTIFIER
		150EBU02		Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab			800.00
		150EBU02		Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab	Vishay/Semiconductors
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	FAIR
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	MITEL
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	VISHAY
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А			62.72
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	FAIRCHILD
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	FAIRCHILD
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	INTERNATIONAL RECTIFIER	386
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	MITEL
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	Vishay/Siliconix
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	VISHAY/IR
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	ВЗПП	266	41.58
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	DC COMPONENTS	137	153.44
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WTE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V		3	218.30
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MIC	388	72.77
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YJ	15 950	69.16
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WUXI XUYANG	2 465	65.36
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE	11 320	70.07
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KLS	3 680	101.25
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	SEP	12	50.86
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	HOTTECH
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGZHOU YANGJIE
		P2N2222AG		Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		P2N2222AG		Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		P2N2222AG		Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ONS
		P2N2222AG		Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)
		ПЭВ3 390 ОМ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"