INA322EA/250
IC R-R CMOS INSTR AMP
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-MSOP |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.5 V ~ 5.5 V, ±1.25 V ~ 2.75 V |
| Ток выходной / канал | 16mA |
| Ток выходной | 40µA |
| Напряжение входного смещения | 2000µV |
| Ток - входного смещения | 0.5pA |
| Полоса пропускания -3Дб | 500kHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.4 V/µs |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Число каналов | 1 |
| Тип усилителя | Instrumentation |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Rail-to-Rail |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
INA2322 (Инструментальные усилители) microPower, Single-Supply, CMOS INSTRUMENTATION AMPLIFIER Также в этом файле: INA322EA/250
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
К564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом |
|
72.00 | ||
|
|
|
К564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом | РОДОН |
|
|
|
|
|
|
К564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|
| К564ИЕ10 |
|
|
||||||
| К564ИЕ10 | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|||||
| К564ИЕ10 | ГАММАЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|||||
| К564ИЕ10 |
|
|
||||||
| К564ИЕ10 (НИКЕЛЬ) |
|
|
||||||
| К564ЛЕ5 (НИКЕЛЬ) |
|
|
||||||
 |
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 3 700 | 3.40 | ||
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛОХОВСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВ |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВСКИЙ ЗПП | 960 | 16.53 |
