LP2950ACDT-5.0G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LP2950ACDT-5.0G (4-7 НЕДЕЛЬ)	133	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LP2950ACDT-5.0G

Производитель	ON Semiconductor Corporation
Количество в упаковке	75 шт.
Вес	0.604 г
Тип стабилизатора	LDO
Тип выхода	Fixed
Входное напряжение	5.35…30 В
Выходное напряжение	5В @ 0.1А
Падение напряжения (тип.)	350 мВ
Корпус (размер)	DPAK
	100 mA, 5 V, Low Dropout Voltage Regulator

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 753	2.10
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	583	1.50
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	27 688	1.20
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 324	1.23
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	24	11.37
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		34 570	1.32 >100 шт. 0.66
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	112 720	1.16
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	36 000	1.18
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	298 483	1.03
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	79 396	1.26 >100 шт. 0.63
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	28 853	1.25
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	XXW	17 020	1.38 >100 шт. 0.69
L-32P3C(L-3DP3C)	Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В	KINGBRIGHT
L-32P3C(L-3DP3C)	Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В	KB
L-32P3C(L-3DP3C)	Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
L-32P3C(L-3DP3C)	Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В	КИТАЙ
L-32P3C(L-3DP3C)	Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KB
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KINGBRIGHT	32 220	12.34
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт			9.52
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KGB	19 034	13.23
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	КИТАЙ
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	UNKNOWN
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	MICRO CHIP	384	169.30
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В		176	231.25
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	MICRO CHIP
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	Microchip Technology
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	ТАИЛАНД
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	4-7 НЕДЕЛЬ	438
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...		776	27.60
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ХЕРСОН
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ДНЕПР
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	RUS
КР514ИД2	Микросхема дешифратор двоично-десятичного кода для 7-сегментного светодиодного ...	ПО "ДНЕПР"	336	89.89