ТИ5-89В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ТИ5-89В	276	46.25
ТИ5-89В	276	46.25

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1533ИР24			1	1 850.00
1533ИР24		ИНТЕГРАЛ	88	1 753.29
1533ИР24		МИНСК
1533ИР24		1
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	RECTIFIER
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	VISHAY
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	PHILIPS
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт			70.24
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	PHILIPS	14
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	Vishay/Siliconix
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	STMicroelectronics
IRF540	Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт	КИТАЙ
KPT-2012SURC	Светодиод SMD 0805 70-180мКд 120°	KB
KPT-2012SURC	Светодиод SMD 0805 70-180мКд 120°	KINGBRIGHT
KPT-2012SURC	Светодиод SMD 0805 70-180мКд 120°			9.20
KPT-2012SURC	Светодиод SMD 0805 70-180мКд 120°	КИТАЙ
KPT-2012SURC	Светодиод SMD 0805 70-180мКд 120°	KGB
LM317MDTG		ON SEMICONDUCTOR
LM317MDTG			10	71.82
LM317MDTG		ONS
LM317MDTG		ONSEMICONDUCTOR
LM317MDTG		4-7 НЕДЕЛЬ	359
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	536	299.63
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	924