|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SJ512 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W
|
TOSHIBA
|
8
|
173.88
|
|
|
|
2SJ512 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W
|
|
1 164
|
98.05
|
|
|
|
2SJ512 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SJ512 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3386F-100К |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3386F-100К |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3386F-100К |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
|
|
32.92
|
|
|
|
3386F-100К |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
CHINA NATIONAL
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
309
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
2 266
|
27.02
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
|
2
|
57.96
|
|
|
|
MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-20 ОМ-5% |
|
|
|
1 625
|
7.40
|
|