К73-17 0,47М 63В 10%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SJ512 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W | TOSHIBA | 8 | 173.88 | ||
|
|
2SJ512 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W | 1 164 | 98.05 | |||
|
|
2SJ512 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W | TOS |
|
|
||
|
|
2SJ512 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W | КИТАЙ |
|
|
||
 |
MF-0.25-1.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,25Вт, 1кОм, 1% | CHINA |
|
|
||
|
|
MF-0.25-1.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,25Вт, 1кОм, 1% |
|
2.80 | |||
| MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | VISHAY |
|
|
|||
| MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | ONS |
|
|
|||
| MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | 2 | 57.96 | ||||
| MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MUR1100ERLG |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| МЛТ-1-20 ОМ-5% | 1 625 | 7.40 | ||||||
| ТП-121-2 220/6.0В-0.75А | КОМПЛЕКС |
|
|
|||||
| ТП-121-2 220/6.0В-0.75А |
|
|
