Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 873	2.00
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	672	1.58
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	16 402	2.37
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 600	1.30
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	66	10.82
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		40 888	1.46  >100 шт.   0.73
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	14 294	1.25
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	38 400	1.24
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	371 110	1.31
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	184 172	1.33
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	83 879	1.32
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	3	2.58
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	185 646	1.01
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		100 020	1.32  >100 шт.   0.66
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	78 022	1.96  >100 шт.   0.98
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	2 240	6.89
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	17 444	1.46
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	257 530	1.16
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	3 047	1.60
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	23 100	1.88  >100 шт.   0.94
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BH-26 (IDC-26MS)		Вилка прямая на плату 26 контактов из фосфоритной бронзы с покрытием золото 3А, 250В		6 224	6.60
		BH-26 (IDC-26MS)		Вилка прямая на плату 26 контактов из фосфоритной бронзы с покрытием золото 3А, 250В	RUICHI	77	5.67
		BH-26 (IDC-26MS)		Вилка прямая на плату 26 контактов из фосфоритной бронзы с покрытием золото 3А, 250В	NXU	448	30.50
		BH1.27-40 W=1.27 MM
		BH1.27-40 W=1.27 MM
		L-7104MD/2GD			KINGBRIGHT
		L-7104MD/2GD			KB
		L-7104MD/2GD			КИТАЙ
		L-7104MD/2GD			KGB	2 684	57.07
		L-7104MD/2GD

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"