|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |   |   | AD8561AR |   |  | ANALOG DEVICES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | AD8561AR |   |  |  |   | 340.00 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | AD8561AR |   |  | ANALOG DEVICES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | AD8561AR |   |  | Analog Devices Inc |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | AD8561AR |   |  | 4-7 НЕДЕЛЬ | 74 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NXP | 19 753 | 2.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | GENERAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | PANJIT | 504 | 1.49 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | DC COMPONENTS | 20 840 | 1.15 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | DIOTEC | 1 324 | 1.23 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | MCC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | GALAXY | 24 | 3.14 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | FAIRCHILD | 104 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 1 920 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NXP | 2 593 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | PHILIPS | 21 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | Fairchild Semiconductor |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | INFINEON TECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | VISHAY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) |  | 34 566 | 1.32 >100 шт.   0.66
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | FSC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ONS-FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | HOTTECH | 5 395 | 1.82 >100 шт.   0.91
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | SEMTECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | YANGJIE | 36 000 | 1.20 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | YJ | 224 746 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | JSCJ | 62 996 | 1.46 >100 шт.   0.73
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | 1 |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | SUNTAN | 21 808 | 1.23 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | XXW | 45 542 | 1.36 >100 шт.   0.68
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAW56 |   | 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | KEEN SIDE | 52 304 | 1.06 >100 шт.   0.53
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | NXP | 1 639 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | DC COMPONENTS | 3 683 | 1.51 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | MCC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | DIOTEC | 3 024 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | INFINEON | 240 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | NXP | 1 212 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PHILIPS | 976 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | МАЛАЙЗИЯ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | INFINEON TECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | DI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | KINGTRON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц |  | 31 452 | 1.52 >100 шт.   0.76
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | KEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | HOTTECH | 770 874 | 1.17 >500 шт.   0.39
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PH / NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | NEX-NXP | 60 000 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | SEMTECH | 3 026 | 1.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | YJ | 658 232 | 1.62 >100 шт.   0.81
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PH/NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | CTK | 2 489 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | RUME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | OLITECH ELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | SUNTAN | 55 176 | 1.04 >100 шт.   0.52
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | 1 |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | NEXPERIA | 495 182 | 1.04 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO | 16 | 1.94 >100 шт.   0.97
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | XXW | 561 197 | 1.18 >100 шт.   0.59
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | KEEN SIDE | 2 976 | 1.35 >500 шт.   0.45
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | MERRYELC | 103 744 | 1.08 >100 шт.   0.54
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IR4426S |   | Драйвер полумостовой 6-20В, 1,5А | INTERNATIONAL RECTIFIER |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IR4426S |   | Драйвер полумостовой 6-20В, 1,5А |  |   | 165.96 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IR4426S |   | Драйвер полумостовой 6-20В, 1,5А | INTERNATIONAL RECTIFIER |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IR4426S |   | Драйвер полумостовой 6-20В, 1,5А | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IR4426S |   | Драйвер полумостовой 6-20В, 1,5А | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IR4426S |   | Драйвер полумостовой 6-20В, 1,5А | 4-7 НЕДЕЛЬ | 725 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | L-7104MD/2GD |  |  | KINGBRIGHT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | L-7104MD/2GD |  |  | KB |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | L-7104MD/2GD |  |  | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | L-7104MD/2GD |  |  | KGB | 3 584 | 43.12 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | L-7104MD/2GD |  |  |  |   |   |  |