IS62WV5128BLL-55HLI
|
|
Версия для печати
| Корпус | 32-STSOP-I |
| Корпус (размер) | 32-sTSOP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Скорость | 55ns |
| Объем памяти | 4M (512K x 8) |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous |
| Формат памяти | RAM |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF |
|
|
||||||
| 22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF | TAIZHOU |
|
|
|||||
| 22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF | КИТАЙ |
|
|
|||||
| CS1180 | CHIPSEA TECHNOLOGIES CO. LTD |
|
|
|||||
 |
 |
HFA06TB120 |
|
UFAST диод 6А 1200В | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
HFA06TB120 |
|
UFAST диод 6А 1200В |
|
92.00 | ||
|
|
|
HFA06TB120 |
|
UFAST диод 6А 1200В | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
|
|
|
HFA06TB120 |
|
UFAST диод 6А 1200В | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
 |
|
IRFBE30L |
|
Hexfet® power mosfet | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFBE30L |
|
Hexfet® power mosfet | Vishay/Siliconix |
|
|
|
| JL04-20EB-R |
|
JAE Electronics |
|
|
