IRFBE30L

Версия для печати

Технические характеристики IRFBE30L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	I2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBE30L (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBE30L datasheet
490.5 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF
22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF		TAIZHOU
22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF		КИТАЙ
ADS1230	20-ти разрядный дельта-сигма ацп для устройств с датчиками	TEXAS INSTRUMENTS
CS1180		CHIPSEA TECHNOLOGIES CO. LTD
FM25C160-S	Ферроэлектрическая энергонезавис. память (FRAM) (16Kb, Vcc=+5V, -40 to +85C).PB-free	RAMTRON
FM25C160-S	Ферроэлектрическая энергонезавис. память (FRAM) (16Kb, Vcc=+5V, -40 to +85C).PB-free			162.92
FM25C160-S	Ферроэлектрическая энергонезавис. память (FRAM) (16Kb, Vcc=+5V, -40 to +85C).PB-free	4-7 НЕДЕЛЬ	281
JL04-20EB-R		JAE Electronics