SS8550D
|
|
Версия для печати
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 80mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 1W |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SS8550D Plastic-Encapsulate Transistors PNP Silicon
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КТ6115В |
|
10.80 | ||||||
| КТ6115В | МИНСК |
|
|
|||||
| КТ6115В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| КТ6115В | РАДИОДЕТ |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1020-Y(TPE6,F) | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SA1020-Y(TPE6,F) | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SC2655Y | TOSHIBA | 40 | 26.55 | |||||
| 2SC2655Y | 8 | 68.04 | ||||||
| 2SC2655Y | TOSHIBA | 64 |
|
|||||
 |
 |
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт |
|
177.92 | ||
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | КИТАЙ |
|
|
|
| SS8050CTA | FAIR |
|
|
|||||
| SS8050CTA | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| SS8050CTA | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| SS8050CTA | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
|
|
SS8050D | ПЛАНЕТА |
|
|
||||
|
|
SS8050D |
|
6.84 | |||||
|
|
SS8050D | Џ‹ЂЌ…’Ђ |
|
|
||||
|
|
SS8050D | МИНСК |
|
|
||||
|
|
SS8050D | BR |
|
|
||||
|
|
SS8050D | ИНТЕГРАЛ | 266 | 16.40 | ||||
|
|
SS8050D | Б/УП |
|
|
