Версия для печати
Технические характеристики T491A105K016AT

Высота	0.071" (1.80mm)
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric)
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Допустимые отклонения емкости	±10%
Серия	T491
ESR (Equivalent Series Resistance)	10.00 Ohm
Возможности	General Purpose
Тип монтажа	Поверхностный
Номинальное напряжение	16V
Тип	Электролитический танталовый
Manufacturer Size Code	A
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Емкость	1.0µF
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±10%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC00AD (IN74HC00AD)			МИНСК
		7805C(TO-220)		Стабилизатор положительного напряжения
		MCP1825S-5002E/DB			Microchip Technology
		MCP1825S-5002E/DB
		MCP1825S-5002E/DB			4-7 НЕДЕЛЬ	636
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS	648	4.36
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 821
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMI
		RC0402JR-0724RL			YAGEO	2 625 123	0.40  >1000 шт.   0.08
		RC0402JR-0724RL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"